图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BCP69T1G, NSVBCP69T1G |
| 文档 |
Copper Wire 08/Jun/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 100mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 85 @ 500mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 频率转换 | 60MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 20 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V |
| 最大工作频率 | 60(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@100mA@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 25 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1500 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| Maximum Transition Frequency | 60(Typ) |
| 包装宽度 | 3.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 25 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.5 |
| 最大集电极发射极电压 | 20 |
| 包装高度 | 1.57 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 60MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 100mA, 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 85 @ 500mA, 1V |
| 其他名称 | BCP69T1GOSTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 50 at 5 mA at 10 V |
| 增益带宽产品fT | 60 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 20 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 25 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 1 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 25 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 20 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 60 MHz |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 50 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 60 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| 直流电流增益 | 50 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :-20V |
| Transition Frequency ft | :60MHz |
| 功耗 | :1.5W |
| DC Collector Current | :-1A |
| DC Current Gain hFE | :50 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-223 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.00012 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Collector Emitter Voltage Vces | :500mV |
| Complementary Device | :BCP68 |
| 连续集电极电流Ic最大 | :1A |
| Current Ic Continuous a Max | :1A |
| Current Ic hFE | :1A |
| Gain Bandwidth ft Typ | :60MHz |
| Hfe Min | :60 |
| 工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
| 引脚配置 | :B(1), C(2+4), E(3) |
| Power Dissipation Ptot Max | :1.5W |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vcbo | :25V |
| Current,Collector | -1A |
| Current,Gain | 60 |
| PackageType | SOT-223 |
| 极性 | PNP |
| PowerDissipation | 1.5W |
| PrimaryType | Si |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | -20V |
| Voltage,CollectortoBase | -25V |
| Voltage,CollectortoEmitter | -20V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | -0.5V |
| Voltage,EmittertoBase | -5V |
| associated | BCP69 BCP69T1G |
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